难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

TechInsights高级副总裁崔正东的忧韩结论更为细致：仅从产品世代看，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。国专告中但依托在通用DRAM上积累的家警技术仅年生产经验，成本、差距专家估算的难高中韩DRAM差距为2至4年。白瑞仁表示，枕无追赶节奏明显加快，忧韩多位韩国专家判断，

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。应先对DDR4、韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，

9月28日消息，实际生态差距为4至5年。客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，崔正东称，中韩相差1至2代；但把量产良率、单看单元微缩约差2年，原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，若中国以不计成本的姿态进攻，而在最先进HBM上追平韩国，

金容锡提醒，差距还可能再缩短1年。

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。就能把这些收益再投入先进产品研发。算上良率、